2024年7月25日，芯合半導體有限公司在國家信息技術應用創新展示中心舉辦產品發布會，正式發布企業自主研發生產的SiC SBD、SiC MOSFET兩個系列的多款碳化硅功率芯片產品，這是企業發展歷程中的重要里程碑。本次發布會特邀30多家功率半導體應用相關企業、碳化硅芯片領域的專家以及投資方匯聚于此，其中不乏大型新能源車企、風光儲能上市公司、世界級工業電源龍頭國內充電樁模塊頭部公司等。針對碳化硅芯片的可靠性、成本以及效率等關鍵問題，與會嘉賓們展開了深入且富有建設性的座談交流，共同展望碳化硅芯片在未來半導體行業中廣闊無垠的應用前景，達成多項合作意愿。

趙清總經理在開場致辭中表示，碳化硅作為半導體領域的一款新型材料，因新環境下提出的多元需求，在其卓越性能和優秀品質的基礎上，從設計到應用開發的各個環節均面臨著前所未有的挑戰。在近期中央委員會召開的第三次全體會議之后，結合中國的獨特能源結構，碳化硅的產業發展獲得了充分肯定。

趙清總經理還表示，我們是一支專業的從事碳化硅功率器件設計制造的老兵團隊，這支隊伍可以回溯到8年前，經歷了碳化硅晶圓制造從4寸到6寸的變遷過程，積累了豐富的經驗和教訓。“我對芯合半導體滿懷信心，在國產化應用的浪潮中為大家提供更具價值的服務，并衷心期望能與各界攜手，共同將碳化硅事業推向更為輝煌的高峰。”他邀請公司總工程師王敬，對本次發布的產品進行了詳盡的介紹。

王敬對已經完成研發的SiC MOSFET 1200V13mΩ\17mΩ\28mΩ\40mΩ\80mΩ及SBD系列產品進行發布宣講。他指出，芯合半導體專注于功率半導體的產品設計、生產制造和銷售，在本次芯片產品發布中，無論是從閾值電壓、導通電阻、產品良率，還是產品的高溫性能來看，均已達到國際領先水準。他特別強調了對發布產品從靜態到動態的全方位測試，通過極為嚴苛的測試條件，有力地保障了新產品的高可靠性。此外，公司完善的信息化建設和嚴格的品控標準也獲得了參會嘉賓的一致認可。

在發布會熱烈的氛圍中，嘉賓們圍繞碳化硅功率芯片展開了深入交流。從芯片的性能參數、應用場景到未來趨勢，各方進行了充分而細致的探討。大家介紹了各自公司的業務進展，并對芯合半導體公司在碳化硅芯片領域的合作前景表達了熱切期待。隨著了解的逐步深入，不少嘉賓現場索要新發布產品的樣品帶回測試，就此開啟了合作的新篇章。